通过试验分析不同类型晶振相位噪声特点

    有源晶振常见的类型为普通晶振XO，温补晶振TCXO，恒温晶振OCXO，他们之间直观的不同，就是频率精度要求越来越高，XO为±20～50ppm、TCXO为±0.1～5ppm、 OCXO为±10～几百ppB；同比它们除了精度的要求不同外，有时还需要关注另外一个非常重要的参数，那就是相位噪声。以下就以100MHZ晶振为例，分析不同条件下，他们的相位噪声表现。

   100MHz是作为一个常用的频率，从切型和振动模式来看，常用的有以下3种晶体：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一种通常用来制作温补晶振XO和TCXO，后2种用来制作恒温晶振OCXO。这是因为：

    1. AT切晶体在非恒温的情况下，在宽温度范围内（-40～+85）其频率温度变化要小于SC切的晶体，适合于温补晶振和普通晶振。

    2. AT切晶体的频率牵引率较大，适合于温补晶振。

    3. 良好设计的5次泛音的晶体比3次泛音的晶体Q值更高，相噪、老化、稳定度都会更好，更适合做恒温晶振。

    为了试验晶体的Q值与相位噪声之间的关系，选择了100M晶振的3种晶体进行试验。

    3种晶体如下：

      A.AT切3次泛音，Q值约为50K。

      B.AT切5次泛音，Q值约为90K。

      C.SC切5次泛音，Q值约为130K。

    电路的基本结构相同，但有一些变化。

    晶体A没有加恒温电路，电源供电为5V,主振级使用4V的稳压电压。

    晶体B恒温到70度附近，电源供电为5V,主振级使用4V的稳压电压。

    晶体C恒温到90度附近，电源供电为12V,主振级使用8V的稳压电压。

    输出幅度都在9dBm左右。

    测试相噪结果如下：

一．  先看远端10KHz以外的相噪：

1.    晶体C最好，这或许是因为使用了较高的电源电压，因此输出信噪比较好。

2.    晶体A与B相比，A的远端相噪较好，这可能是基于以下2点：

        2.1.  晶体A的电路没有恒温，热噪声较低。

        2.2.  晶体A是三次泛音晶体，虽然Q值低，但谐振阻抗RS也低，因此主振级输出幅度较大，信噪比提高。

二． 再来看近端10HZ处的相噪：

几种晶体没有太大的区别，恒温和非恒温也没有什么区别。

一般上理论认为，晶振的相位噪声，近端取决于晶体，远端取决于电路。近端相位噪声正比于晶体Q值的4次方。但是在我们的试验中没有得到体现，可能的原因在于：

       1.近端仍旧是电路的噪声在起主要作用，高Q值晶体的效果没有得到发挥。

2.晶体的有载Q值比空载Q值下降很多，以至于各种晶体的有载Q值差别不大，所以相噪相差不大。

      总结来说，在低噪声晶振的设计中，电路是非常重要的环节，振荡电路应该要使晶体的有载Q值不致下降很多，并且电路附加的噪声要足够小。一般性的设计中，不必一味追求晶体的高Q值（对老化率有要求的除外），用低成本的晶体加上设计良好的电路也能得到不错的相位噪声水平。